Silicon Non–Volatile Memories – Paths of Innovation

Autor Barbara De Salvo

Silicon Non–Volatile Memories – Paths of Innovation - Barbara De Salvo Nedostupné

Silicon Non–Volatile Memories – Paths of Innovation

Autor Barbara De Salvo

0.0 z 5 hvězdiček 0 hodnocení čtenářů

Kniha ( pevná vazba )

    • Produkt je nedostupný.
E-shopové listy

Při zaslání zboží balíčkem

K nákupu nad 99 Kč dárek zdarma v hodnotě 19 Kč

E-shopové listy

Deváté chapadlo chobotnice

Při zaslání zboží balíčkem

K nákupu nad 999 Kč dárek zdarma v hodnotě 339 Kč

Deváté chapadlo chobotnice

Semiconductor flash memory is an indispensable component of modern electronic systems which has gained a strategic position in recent decades due to the progressive shift from computing to consumer (and particularly mobile) products as revenue drivers for Integrated Circuits (IC) companies. This book provides a comprehensive overview of the… Přejít na celý popis

Takové velké štěstí Lipka se provdá za dědice nejbohatšího statku v kraji a všichni mluví o velkém štěstí. Jenže život jí brzy ukáže, že štěstí není zadarmo. A už vůbec ne s příchodem komunismu. Více informací

K tomuto produktu zákazníci kupují

Popis Hodnocení 0.0 z 5 hvězdiček 0 Vývoj ceny

Popis

Semiconductor flash memory is an indispensable component of modern electronic systems which has gained a strategic position in recent decades due to the progressive shift from computing to consumer (and particularly mobile) products as revenue drivers for Integrated Circuits (IC) companies. This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different "evolutionary paths" based on the use of new materials (such as silicon nanocrystals for storage nodes and high-k insulators for active dielectrics) and of new transistor structures (such as multi-gate devices) are investigated in order to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. "Disruptive paths" based on new storage mechanisms or new technologies (such as phase-change devices, polymer or molecular cross-bar memories) are also covered in order to address 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.

Sdílet

kategorie
Knihy » Cizojazyčná literatura » English literature
Témata
Nakladatel
ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc
Rozměr
240 x 166 x 20
jazyk
angličtina
Vazba
pevná vazba
Hmotnost
520 g
isbn
978-1-84821-105-6
Počet stran
246
datum vydání
11.08.2009
ean
9781848211056

Hodnocení a recenze čtenářů Nápověda

0.0 z 5 0 hodnocení čtenářů

0× 5 hvězdiček 0× 4 hvězdičky 0× 3 hvězdičky 0× 2 hvězdičky 0× 1 hvezdička

Přidejte své hodnocení knihy

Načíst další hodnocení

Zobrazit všechna hodnocení

Přidat hodnocení

Vývoj ceny

Vývoj ceny Nápověda

Získejte přehled o vývoji ceny za posledních 60 dní.

Maloobchodní cena Minimální prodejní cena: 0 Kč Nápověda

Články, které stojí za pozornost

Zobrazit blog

Články, které stojí za pozornost