Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

Autor Pengfei Wang, Edward A. Jones, Zheyu Zhang

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices - Pengfei Wang,Edward A. Jones,Zheyu Zhang Nedostupné

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

Autor Pengfei Wang, Edward A. Jones, Zheyu Zhang

0.0 z 5 hvězdiček 0 hodnocení čtenářů

Kniha ( pevná vazba )

    • Produkt je nedostupný.
E-shopové listy

Při zaslání zboží balíčkem

K nákupu nad 99 Kč dárek zdarma v hodnotě 19 Kč

E-shopové listy

Druhá půlka Augusty Hopeové

Při zaslání zboží balíčkem

K nákupu nad 999 Kč dárek zdarma v hodnotě 399 Kč

Druhá půlka Augusty Hopeové

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established… Přejít na celý popis

Hynek Heřman: Doktore, rodíme! Rozhovor se zkušeným porodníkem z Podolí o tom, co všechno přináší přivádění života na svět. Upřímně, lidsky a s respektem k malým i velkým příběhům. Více informací

K tomuto produktu zákazníci kupují

Popis Hodnocení 0.0 z 5 hvězdiček 0 Vývoj ceny

Popis

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established silicon-based devices. However, WBG devices pose new challenges for converter design and require more careful characterization, in particular due to their fast switching speed and more stringent need for protection.Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices presents comprehensive methods with examples for the characterization of this important class of power devices. After an introduction, the book covers pulsed static characterization; junction capacitance characterization; fundamentals of dynamic characterization; gate drive for dynamic characterization; layout design and parasitic management; protection design for double pulse test; measurement and data processing for dynamic characterization; cross-talk consideration; impact of three-phase system; and topology considerations.

Sdílet

autoři
Pengfei Wang | Edward A. Jones | Zheyu Zhang
kategorie
Knihy » Cizojazyčná literatura » English literature » Nonfiction » Science
Nakladatel
Institution of Engineering and Technology
Rozměr
165 x 244 x 26
jazyk
angličtina
Vazba
pevná vazba
Hmotnost
662 g
isbn
978-1-78561-491-0
Počet stran
347
datum vydání
31.10.2018
ean
9781785614910

Hodnocení a recenze čtenářů Nápověda

0.0 z 5 0 hodnocení čtenářů

0× 5 hvězdiček 0× 4 hvězdičky 0× 3 hvězdičky 0× 2 hvězdičky 0× 1 hvezdička

Přidejte své hodnocení knihy

Načíst další hodnocení

Zobrazit všechna hodnocení

Přidat hodnocení

Vývoj ceny

Vývoj ceny Nápověda

Získejte přehled o vývoji ceny za posledních 60 dní.

Maloobchodní cena Minimální prodejní cena: 0 Kč Nápověda

Články, které stojí za pozornost

Zobrazit blog

Články, které stojí za pozornost